CSD19506KTT参数规格_中文资料_数据手册PDF

CSD19506KTT概述

80V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、2.3mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175

这款 80V、2.0mΩ、D2PAK TO-263 NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。

.: 超低 Qg 和 Qgd

.: 低热阻

.: 雪崩级

.: 无铅引脚镀层

.: 符合 RoHS 环保标准

.: 无卤素

.: D2PAK 塑料封装

## 应用

.: 次级侧同步整流器

.: 电机控制

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CSD19506KTT中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 375 W

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 200A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 12200pF @40VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 9.25 mm

高度 4.7 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买CSD19506KTT

型号： CSD19506KTT

制造商： TI 德州仪器

描述：80V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、2.3mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175

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