CPC3960ZTR参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

CPC3960ZTR图片1

CPC3960ZTR概述

N沟道 600V

表面贴装型 N 通道 - 1.8W（Ta） SOT-223

得捷:
MOSFET N-CH 600V SOT223

立创商城:
N沟道 600V

贸泽:
MOSFET 600V N-Channel Depletion-Mode FET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R

CPC3960ZTR中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 44 Ω

极性 N-CH

耗散功率 1.8 W

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

输入电容Ciss 100pF @25VVds

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1.8W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223-3

外形尺寸

封装 SOT-223-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CPC3960ZTR

型号： CPC3960ZTR

制造商： IXYS Semiconductor

描述：N沟道 600V