CPC3703CTR

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CPC3703CTR概述

CPC 系列 250 V 300 mA N沟道 耗尽型 场效应 晶体管

表面贴装型 N 通道 250 V 360mA(Ta) 1.1W(Ta) SOT-89-3


得捷:
MOSFET N-CH 250V 360MA SOT89-3


立创商城:
N沟道 250V 360mA


贸泽:
MOSFET N Ch Dep Mode FET 250V


艾睿:
Use Ixys Corporation&s;s CPC3703CTR power MOSFET to switch quickly between different electronic signals with ease. Its maximum power dissipation is 1100 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 125 °C. This device utilizes dmos technology. This N channel MOSFET transistor operates in depletion mode.


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.36A; 1.1W; SOT89


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 250V Automotive 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Electro Sonic:
Trans MOSFET N-CH Si 250V Automotive 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


CPC3703CTR中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 4 Ω

极性 N-CH

耗散功率 1.6 W

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 250 V

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 350pF @25VVds

额定功率Max 1.6 W

下降时间 70 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1.1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89-3

外形尺寸

封装 SOT-89-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 125℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

CPC3703CTR引脚图与封装图
CPC3703CTR引脚图
CPC3703CTR封装焊盘图
在线购买CPC3703CTR
型号: CPC3703CTR
制造商: IXYS Semiconductor
描述:CPC 系列 250 V 300 mA N沟道 耗尽型 场效应 晶体管
替代型号CPC3703CTR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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IXYS Semiconductor

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