CPC3701CTR

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CPC3701CTR概述

CPC 系列 60 V 600 mA 1 Ω N-沟道 耗尽型 DMOS FET - SOT-89

表面贴装型 N 通道 60 V - 1.1W(Ta) SOT-89


得捷:
MOSFET N-CH 60V SOT89


贸泽:
MOSFET N Channel FET 250V, 360mA


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; 1.1W; SOT89


CPC3701CTR中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 1 Ω

极性 N-CH

耗散功率 1.1 W

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

上升时间 40 ns

下降时间 150 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1.1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89-3

外形尺寸

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CPC3701CTR
型号: CPC3701CTR
制造商: IXYS Semiconductor
描述:CPC 系列 60 V 600 mA 1 Ω N-沟道 耗尽型 DMOS FET - SOT-89

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