TEXAS INSTRUMENTS CSD87335Q3DT 单晶体管 双极, 双N沟道, 30 V, 6.7 ohm, 4.5 V, 750 mV 新
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V 25A 6W 表面贴装型 8-LSON(3.3x3.3)
得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 25A
立创商城:
2个N沟道 30V 25A
德州仪器TI:
30-V, N channel synchronous buck NexFET™ power MOSFET, SON 3 mm x 3 mm power block, 25 A
e络盟:
晶体管, MOSFET, 双N沟道, 30 V, 0.0067 ohm, 4.5 V, 750 mV
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin LSON-CLIP EP T/R
安富利:
30V POWERBLOCK N CH MOSFET
TME:
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; Half-Bridge Power Block; 30V
Verical:
High Frequency Synchronous Power Module
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS CSD87335Q3DT Bipolar BJT Single Transistor, Dual N Channel, 30 V, 0.0067 ohm, 4.5 V, 750 mV
通道数 2
漏源极电阻 0.0067 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 6 W
阈值电压 750 mV
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 25A
输入电容Ciss 1050pF @15VVds
额定功率Max 6 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 6000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 LSON-CLIP-8
宽度 3.3 mm
封装 LSON-CLIP-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99