CSD19502Q5BT

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CSD19502Q5BT概述

TEXAS INSTRUMENTS  CSD19502Q5BT  晶体管, MOSFET, N沟道, 157 A, 80 V, 0.0034 ohm, 10 V, 2.7 V 新

N-Channel 80V 100A Ta 3.1W Ta, 195W Tc Surface Mount 8-VSON-CLIP 5x6


得捷:
MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON


欧时:
80V N-Ch NexFET MOSFET VSON-CLIP8


立创商城:
CSD19502Q5BT


德州仪器TI:
80-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 4.1 mOhm


贸泽:
MOSFET N-Channel, 3.4mOhm 80V


e络盟:
TEXAS INSTRUMENTS  CSD19502Q5BT  晶体管, MOSFET, N沟道, 157 A, 80 V, 0.0034 ohm, 10 V, 2.7 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 195W; VSON-CLIP8 5x6mm


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD19502Q5BT  MOSFET, N-CH, 80V, VSON-6


CSD19502Q5BT中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0034 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 195 W

阈值电压 2.7 V

漏源极电压Vds 80 V

漏源击穿电压 80 V

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 4870pF @40VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 3.1W Ta, 195W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-Clip-8

外形尺寸

长度 6 mm

宽度 5 mm

高度 1 mm

封装 VSON-Clip-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

CSD19502Q5BT引脚图与封装图
CSD19502Q5BT引脚图
CSD19502Q5BT封装图
CSD19502Q5BT封装焊盘图
在线购买CSD19502Q5BT
型号: CSD19502Q5BT
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  CSD19502Q5BT  晶体管, MOSFET, N沟道, 157 A, 80 V, 0.0034 ohm, 10 V, 2.7 V 新
替代型号CSD19502Q5BT
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