TEXAS INSTRUMENTS CSD19502Q5BT 晶体管, MOSFET, N沟道, 157 A, 80 V, 0.0034 ohm, 10 V, 2.7 V 新
N-Channel 80V 100A Ta 3.1W Ta, 195W Tc Surface Mount 8-VSON-CLIP 5x6
得捷:
MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
欧时:
80V N-Ch NexFET MOSFET VSON-CLIP8
立创商城:
CSD19502Q5BT
德州仪器TI:
80-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 4.1 mOhm
贸泽:
MOSFET N-Channel, 3.4mOhm 80V
e络盟:
TEXAS INSTRUMENTS CSD19502Q5BT 晶体管, MOSFET, N沟道, 157 A, 80 V, 0.0034 ohm, 10 V, 2.7 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 195W; VSON-CLIP8 5x6mm
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS CSD19502Q5BT MOSFET, N-CH, 80V, VSON-6
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0034 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 195 W
阈值电压 2.7 V
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80 V
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 4870pF @40VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta, 195W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-Clip-8
长度 6 mm
宽度 5 mm
高度 1 mm
封装 VSON-Clip-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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