CSD18532NQ5BT

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CSD18532NQ5BT概述

TEXAS INSTRUMENTS  CSD18532NQ5BT  晶体管, MOSFET, N沟道, 151 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 2.8 V 新

N-Channel 60V 100A Ta 3.1W Ta, 156W Tc Surface Mount 8-VSON-CLIP 5x6


得捷:
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON


立创商城:
N沟道 60V 100A


德州仪器TI:
60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 3.4 mOhm


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 151 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 2.8 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin VSON T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSON-CLIP8 5x6mm


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD18532NQ5BT  MOSFET, N-CH, 60V, VSON-6


CSD18532NQ5BT中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0027 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 156 W

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 21A

上升时间 8.7 ns

输入电容Ciss 5340pF @30VVds

下降时间 2.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.1W Ta, 156W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-Clip-8

外形尺寸

封装 VSON-Clip-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

CSD18532NQ5BT引脚图与封装图
CSD18532NQ5BT引脚图
CSD18532NQ5BT封装图
CSD18532NQ5BT封装焊盘图
在线购买CSD18532NQ5BT
型号: CSD18532NQ5BT
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  CSD18532NQ5BT  晶体管, MOSFET, N沟道, 151 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 2.8 V 新
替代型号CSD18532NQ5BT
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