TEXAS INSTRUMENTS CSD17313Q2T 晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 30 V, 0.024 ohm, 8 V, 1.3 V 新
N-Channel 30V 5A Ta 2.4W Ta, 17W Tc Surface Mount 6-WSON 2x2
得捷:
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
立创商城:
N沟道 30V 5A
德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 32 mOhm
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 19 A, 0.024 ohm, WSON, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 19A 6-Pin WSON Plastic T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 17W; WSON6 2x2mm
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS CSD17313Q2T MOSFET, N-CH, 30V, 19A, WSON-6
针脚数 6
漏源极电阻 0.024 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 17 W
阈值电压 1.3 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 3.9 ns
输入电容Ciss 340pF @15VVds
下降时间 1.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.4W Ta, 17W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 WDFN-6
封装 WDFN-6
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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