CY7C1320BV18-250BZI

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CY7C1320BV18-250BZI概述

18兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 18Mb 512K x 36 Parallel 250MHz 165-FBGA 13x15


立创商城:
CY7C1320BV18-250BZI


贸泽:
SRAM 512Kx36 1.8V COM DDR II SRAM


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin FBGA


CY7C1320BV18-250BZI中文资料参数规格
技术参数

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买CY7C1320BV18-250BZI
型号: CY7C1320BV18-250BZI
描述:18兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

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