CY7C1305BV25-167BZC参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY7C1305BV25-167BZC概述

18兆位突发的4流水线SRAM与QDR⑩架构 18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR⑩ Architecture

SRAM - 同步，QDR 存储器 IC 18Mb（1M x 18）并联 167 MHz 165-FBGA（13x15）

立创商城:
CY7C1305BV25-167BZC

得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

贸泽:
NVRAM 1Mx18 2.5V QDR SRAM COM

Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Dual 2.5V 18M-Bit 1M x 18 2.5ns 165-Pin FBGA Tray

CY7C1305BV25-167BZC中文资料参数规格

技术参数

存取时间 2.5 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 2.4V ~ 2.6V

电源电压Max 2.6 V

电源电压Min 2.4 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买CY7C1305BV25-167BZC

型号： CY7C1305BV25-167BZC

描述：18兆位突发的4流水线SRAM与QDR⑩架构 18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR⑩ Architecture