CY7C1392CV18-200BZC

CY7C1392CV18-200BZC图片1
CY7C1392CV18-200BZC图片2
CY7C1392CV18-200BZC概述

18兆位的DDR -II SIO SRAM 2字突发架构 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 16Mb 2M x 8 Parallel 200MHz 165-FBGA 13x15


立创商城:
CY7C1392CV18-200BZC


贸泽:
SRAM 2Mx8 1.8V DDR II SIO SRAM


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 2M x 8 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


罗切斯特:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-bit 2M x 8 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


CY7C1392CV18-200BZC中文资料参数规格
技术参数

存取时间 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买CY7C1392CV18-200BZC
型号: CY7C1392CV18-200BZC
描述:18兆位的DDR -II SIO SRAM 2字突发架构 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台