CYDM064B16-55BVXI

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CYDM064B16-55BVXI概述

1.8V 4K / 8K / 16K ×16和8K / 16K ×8 MoBL㈢双口静态RAM 1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL® Dual-Port Static RAM

SRAM - 双端口,MoBL 存储器 IC 64Kb(4K x 16) 并联 55 ns 100-VFBGA(6x6)


立创商城:
CYDM064B16-55BVXI


得捷:
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA


贸泽:
静态随机存取存储器 64K 4Kx16 MoBL Dual Port IND


安富利:
SRAM Chip Async Dual 1.8V 64K-Bit 4K x 16 55ns 100-Pin VF-BGA


Chip1Stop:
SRAM Chip Async Dual 1.8V 64K-Bit 4K x 16 55ns 100-Pin VFBGA Tray


Verical:
SRAM Chip Async Dual 1.8V 64K-bit 4K x 16 55ns 100-Pin VFBGA Tray


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SRAM Chip Async Dual 1.8V 64K-bit 4K x 16 55ns 100-Pin VFBGA Tray


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IC SRAM 64KBIT 55NS 100VFBGA


Win Source:
1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL Dual-Port Static RAM


CYDM064B16-55BVXI中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.00 V

供电电流 25 mA

存取时间 55 ns

存取时间Max 55 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 100

封装 VFBGA-100

外形尺寸

高度 0.66 mm

封装 VFBGA-100

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CYDM064B16-55BVXI
型号: CYDM064B16-55BVXI
描述:1.8V 4K / 8K / 16K ×16和8K / 16K ×8 MoBL㈢双口静态RAM 1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL® Dual-Port Static RAM
替代型号CYDM064B16-55BVXI
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