CY7C1512V18-200BZXI参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY7C1512V18-200BZXI概述

72 - Mbit的QDR -II SRAM ™ 2字突发架构 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - 同步，QDR II 存储器 IC 72Mb（4M x 18）并联 200 MHz 165-FBGA（15x17）

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CY7C1512V18-200BZXI

得捷:
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA

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SRAM 4Mx18 72M QDR II Burst 2 SRAM

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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-Bit 4M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray

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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-bit 4M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray

CY7C1512V18-200BZXI中文资料参数规格

技术参数

存取时间 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买CY7C1512V18-200BZXI

型号： CY7C1512V18-200BZXI

描述：72 - Mbit的QDR -II SRAM ™ 2字突发架构 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture

替代型号CY7C1512V18-200BZXI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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