TEXAS INSTRUMENTS CSD18536KTTT 晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 349 A, 60 V, 0.0013 ohm, 10 V, 1.8 V 新
N-Channel 60V 200A Ta, 349A Tc 375W Tc Surface Mount DDPAK/TO-263-3
得捷:
MOSFET N-CH 60V 200A/349A DDPAK
立创商城:
CSD18536KTTT
德州仪器TI:
60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single D2PAK, 1.6 mOhm
贸泽:
MOSFET 60V, N-Channel NexFET Power MOSFET 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175
e络盟:
晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 349 A, 60 V, 0.0013 ohm, 10 V, 1.8 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 4-Pin3+Tab TO-263 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 375W; D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 4-Pin3+Tab TO-263 T/R
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS CSD18536KTTT MOSFET, N-CH, 60V, 349A, TO-263-3
针脚数 3
漏源极电阻 0.0013 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 375 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 200A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 11430pF @30VVds
下降时间 4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 375W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 9.25 mm
高度 4.7 mm
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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CSD18536KTTT TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
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