CY7C1426JV18-300BZC

CY7C1426JV18-300BZC图片1
CY7C1426JV18-300BZC图片2
CY7C1426JV18-300BZC概述

36兆位QDR⑩ - II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb 4M x 9 Parallel 300MHz 165-FBGA 15x17


立创商城:
CY7C1426JV18-300BZC


贸泽:
SRAM 4Mx9 QDR-II Burst 4


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 4M x 9-Bit 0.45ns 165-Pin FBGA


罗切斯特:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-bit 4M x 9-bit 0.45ns 165-Pin FBGA


CY7C1426JV18-300BZC中文资料参数规格
技术参数

存取时间 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 LBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买CY7C1426JV18-300BZC
型号: CY7C1426JV18-300BZC
描述:36兆位QDR⑩ - II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台