CY7C1021CV33-12BAXI参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY7C1021CV33-12BAXI概述

1兆位（ 64K ×16 ）静态RAM 1-Mbit 64K x 16 Static RAM

SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb 64K x 16 Parallel 12ns 48-FBGA 7x7

立创商城:
CY7C1021CV33-12BAXI

得捷:
IC SRAM 1M PARALLEL 48FBGA

艾睿:
SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 12ns 48-Pin FBGA

Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 64K x 16 12ns 48-Pin FBGA

CY7C1021CV33-12BAXI中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.30 V max

位数 16

存取时间Max 12 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 FBGA-48

外形尺寸

封装 FBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.b

数据手册

在线购买CY7C1021CV33-12BAXI

型号： CY7C1021CV33-12BAXI

描述：1兆位（ 64K ×16 ）静态RAM 1-Mbit 64K x 16 Static RAM

替代型号CY7C1021CV33-12BAXI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
CY7C1021CV33-12BAXI Cypress Semiconductor 赛普拉斯	当前型号	当前型号
CY7C1021BV33-12BAI 赛普拉斯	完全替代	CY7C1021CV33-12BAXI和CY7C1021BV33-12BAI的区别
CY7C1021CV33-12VXC 赛普拉斯	类似代替	CY7C1021CV33-12BAXI和CY7C1021CV33-12VXC的区别
CY7C1021CV33-12ZXI 赛普拉斯	功能相似	CY7C1021CV33-12BAXI和CY7C1021CV33-12ZXI的区别