CY7C1312CV18-250BZC

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CY7C1312CV18-250BZC概述

18 - Mbit的QDR - II⑩ SRAM 2字突发架构 18-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - 同步,QDR II 存储器 IC 18Mb(1M x 18) 并联 250 MHz 165-FBGA(13x15)


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CY7C1312CV18-250BZC


得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA


贸泽:
静态随机存取存储器 1Mx18 1.8V DDR II 静态随机存取存储器


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


CY7C1312CV18-250BZC中文资料参数规格
技术参数

位数 18

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买CY7C1312CV18-250BZC
型号: CY7C1312CV18-250BZC
描述:18 - Mbit的QDR - II⑩ SRAM 2字突发架构 18-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
替代型号CY7C1312CV18-250BZC
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