CY7C1424AV18-250BZC

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CY7C1424AV18-250BZC概述

36兆位的DDR -II SIO SRAM 2字突发架构 36-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - 同步,DDR II 存储器 IC 36Mb(4M x 9) 并联 165-FBGA(15x17)


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CY7C1424AV18-250BZC


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SRAM 1Mx36 Burst 2 SRAM COM


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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-bit 1M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


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CY7C1424AV18-250BZC中文资料参数规格
技术参数

位数 36

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买CY7C1424AV18-250BZC
型号: CY7C1424AV18-250BZC
描述:36兆位的DDR -II SIO SRAM 2字突发架构 36-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture

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