CYDM128B16-55BVXI参数规格_中文资料_数据手册PDF

CYDM128B16-55BVXI概述

1.8V 4K / 8K / 16K ×16和8K / 16K ×8的MoBL双端口静态RAM 1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL Dual-Port Static RAM

SRAM - 双端口，MoBL 存储器 IC 128Kb（8K x 16）并联 55 ns 100-VFBGA（6x6）

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CYDM128B16-55BVXI

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IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA

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SRAM Chip Async Dual 1.8V 128K-Bit 8K x 16 55ns 100-Pin VFBGA Tray

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CYDM128B16-55BVXI中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 3.00 V

存取时间 55 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 100

封装 VFBGA-100

外形尺寸

高度 0.66 mm

封装 VFBGA-100

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CYDM128B16-55BVXI

型号： CYDM128B16-55BVXI

描述：1.8V 4K / 8K / 16K ×16和8K / 16K ×8的MoBL双端口静态RAM 1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL Dual-Port Static RAM

替代型号CYDM128B16-55BVXI

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