C4GAMUD4220AA1J

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C4GAMUD4220AA1J概述

C4C/C4G 系列KEMET C4C/C4G 系列聚丙烯薄膜电容器为自修复,具有高波纹电流和低损耗。 具有高触点可靠性,这些电容器特别适用于高频应用。 这些薄膜电容器特别适用于功率半导体电路,适用于在电子镇流器和电动机应用中抑制或减少不需要的电压峰值。 两种系列的合适应用包括阻隔、夹紧和耦合/去耦。金属化聚丙烯缓冲电容器 引线长度 40mm ### 轴向 85°C

C4C/C4G 系列

KEMET C4C/C4G 系列聚丙烯薄膜器为自修复,具有高波纹电流和低损耗。 具有高触点可靠性,这些电容器特别适用于高频应用。

这些器特别适用于功率半导体电路,适用于在电子镇流器和电动机应用中抑制或减少不需要的电压峰值。 两种系列的合适应用包括阻隔、夹紧和耦合/去耦。

金属化聚丙烯缓冲电容器

引线长度 40mm


欧时:
KEMET C4G 系列 2.2μF 聚丙烯电容器 PP C4GAMUD4220AA1J, ±5%, 850V dc, 通孔, 29.5mm直径


立创商城:
2.2uF ±5% 850V


e络盟:
AC膜电容器, 2.2 µF, 450 VAC, 金属化PP, ± 5%, C4G系列, 轴向


艾睿:
Cap Film 2.2uF 850V PP 5% 29.5 X 44mm Axial 0.003 Ohm 85°C


Allied Electronics:
C 2.2uF Polypropylene Film Capacitor 850 V dc +/-5% 29.5mm


安富利:
Cap Film 2.2uF 850V 5% 29.5 X 44mm Axial 0.003 Ohm 85°C


Win Source:
2.2μF Film Capacitor 450V 850V Polypropylene PP, Metallized Axial 1.161" Dia x 1.732" L 29.50mm x 44.00mm


C4GAMUD4220AA1J中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 850 V

额定电压AC 450 V

电容 2.2 μF

等效串联电阻ESR 3 mΩ

容差 ±5 %

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

额定电压 450 VAC

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 Axial

外形尺寸

长度 44 mm

封装 Axial

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 DC Link,DC 滤波;高频,开关,吸收电路

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买C4GAMUD4220AA1J
型号: C4GAMUD4220AA1J
描述:C4C/C4G 系列 KEMET C4C/C4G 系列聚丙烯薄膜电容器为自修复,具有高波纹电流和低损耗。 具有高触点可靠性,这些电容器特别适用于高频应用。 这些薄膜电容器特别适用于功率半导体电路,适用于在电子镇流器和电动机应用中抑制或减少不需要的电压峰值。 两种系列的合适应用包括阻隔、夹紧和耦合/去耦。 金属化聚丙烯缓冲电容器 引线长度 40mm ### 轴向 85°C

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