CL32B105KBHNNNF

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CL32B105KBHNNNF概述

Samsung 1210 MLCC 系列一般多层陶瓷片状电容器高度可靠的容差,可在印刷电路板上高速自动放置芯片 宽电容范围 宽温度补偿和电压范围:从 C0G 至 Y5V 和从 6.3V 至 50V 高度可靠的性能 高耐端接金属 应用包括:HHP、DSC、DVC、LCD、电视、内存模块、PDA、游戏机; 调谐器(产品代码 C 适合) 对于特殊用途,如军事、医药、航空、汽车设备应,应遵守特殊规格 ### 1210 系列

1210 MLCC 系列

一般多层陶瓷片状器

高度可靠的容差,可在印刷电路板上高速自动放置芯片

宽电容范围

宽温度补偿和电压范围:从 C0G 至 Y5V 和从 6.3V 至 50V

高度可靠的性能

高耐端接金属

应用包括:HHP、DSC、DVC、LCD、电视、内存模块、PDA、游戏机;

调谐器(产品代码 C 适合)

对于特殊用途,如军事、医药、航空、汽车设备应,应遵守特殊规格


欧时:
### Samsung 1210 MLCC 系列一般多层陶瓷片状电容器高度可靠的容差,可在印刷电路板上高速自动放置芯片 宽电容范围 宽温度补偿和电压范围:从 C0G 至 Y5V 和从 6.3V 至 50V 高度可靠的性能 高耐端接金属 应用包括:HHP、DSC、DVC、LCD、电视、内存模块、PDA、游戏机; 调谐器(产品代码 C 适合) 对于特殊用途,如军事、医药、航空、汽车设备应,应遵守特殊规格 ### 1210 系列


得捷:
CAP CER 1UF 50V X7R 1210


艾睿:
Cap Ceramic 1uF 50V X7R 10% Pad SMD 1210 125°C T/R


安富利:
Cap Ceramic 1uF 50V X7R 10% SMD 1210 125°C Embossed T/R


Verical:
Cap Ceramic 1uF 50V X7R 10% Pad SMD 1210 125C T/R


CL32B105KBHNNNF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

电容 1 µF

容差 ±10 %

电介质特性 X7R

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3225

封装 1210

外形尺寸

长度 3.2 mm

宽度 2.5 mm

高度 1.6 mm

封装公制 3225

封装 1210

物理参数

材质 X7R/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃

温度系数 ±15 %

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 2000

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

CL32B105KBHNNNF引脚图与封装图
CL32B105KBHNNNF引脚图
CL32B105KBHNNNF封装图
CL32B105KBHNNNF封装焊盘图
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型号: CL32B105KBHNNNF
制造商: Samsung 三星
描述:Samsung 1210 MLCC 系列 一般多层陶瓷片状电容器 高度可靠的容差,可在印刷电路板上高速自动放置芯片 宽电容范围 宽温度补偿和电压范围:从 C0G 至 Y5V 和从 6.3V 至 50V 高度可靠的性能 高耐端接金属 应用包括:HHP、DSC、DVC、LCD、电视、内存模块、PDA、游戏机; 调谐器(产品代码 C 适合) 对于特殊用途,如军事、医药、航空、汽车设备应,应遵守特殊规格 ### 1210 系列
替代型号CL32B105KBHNNNF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

CL32B105KBHNNNF

Samsung 三星

当前型号

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CL32B105KBHNNNE

三星

完全替代

CL32B105KBHNNNF和CL32B105KBHNNNE的区别

GRM32RR71H105KA01L

村田

类似代替

CL32B105KBHNNNF和GRM32RR71H105KA01L的区别

C1210F105K5RACTU

基美

类似代替

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