TEXAS INSTRUMENTS CSD18541F5T 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 60 V, 0.054 ohm, 10 V, 1.75 V 新
表面贴装型 N 通道 60 V 2.2A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
得捷:
MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR
立创商城:
CSD18541F5T
德州仪器TI:
60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1.5 mm x 0.8mm, 65 mOhm, gate ESD protection
贸泽:
MOSFET 60-V N-Channel FemtoFET MOSFET 3-PICOSTAR -55 to 150
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 60 V, 0.054 ohm, 10 V, 1.75 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PICOSTAR T/R
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS CSD18541F5T MOSFET, N-CH, 60V, 2.2A, PICOSTAR-3
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR / N-Channel 60 V 2.2A Ta 500mW Ta Surface Mount 3-PICOSTAR
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.054 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 500 mW
阈值电压 1.75 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 2.2A
上升时间 540 ns
输入电容Ciss 777pF @30VVds
下降时间 496 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 500mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 PICOSTAR-3
长度 1.53 mm
宽度 0.77 mm
高度 0.35 mm
封装 PICOSTAR-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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