CSD18541F5T

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CSD18541F5T概述

TEXAS INSTRUMENTS  CSD18541F5T  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 60 V, 0.054 ohm, 10 V, 1.75 V 新

表面贴装型 N 通道 60 V 2.2A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR


得捷:
MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR


立创商城:
CSD18541F5T


德州仪器TI:
60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1.5 mm x 0.8mm, 65 mOhm, gate ESD protection


贸泽:
MOSFET 60-V N-Channel FemtoFET MOSFET 3-PICOSTAR -55 to 150


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 60 V, 0.054 ohm, 10 V, 1.75 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PICOSTAR T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD18541F5T  MOSFET, N-CH, 60V, 2.2A, PICOSTAR-3


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR / N-Channel 60 V 2.2A Ta 500mW Ta Surface Mount 3-PICOSTAR


CSD18541F5T中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.054 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 500 mW

阈值电压 1.75 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 2.2A

上升时间 540 ns

输入电容Ciss 777pF @30VVds

下降时间 496 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 PICOSTAR-3

外形尺寸

长度 1.53 mm

宽度 0.77 mm

高度 0.35 mm

封装 PICOSTAR-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

CSD18541F5T引脚图与封装图
CSD18541F5T引脚图
CSD18541F5T封装图
CSD18541F5T封装焊盘图
在线购买CSD18541F5T
型号: CSD18541F5T
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  CSD18541F5T  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 60 V, 0.054 ohm, 10 V, 1.75 V 新
替代型号CSD18541F5T
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