C4GAMUC3680AA0J

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C4GAMUC3680AA0J概述

C4C/C4G 系列KEMET C4C/C4G 系列聚丙烯薄膜电容器为自修复,具有高波纹电流和低损耗。 具有高触点可靠性,这些电容器特别适用于高频应用。 这些薄膜电容器特别适用于功率半导体电路,适用于在电子镇流器和电动机应用中抑制或减少不需要的电压峰值。 两种系列的合适应用包括阻隔、夹紧和耦合/去耦。金属化聚丙烯缓冲电容器 引线长度 40mm ### 轴向 85°C

C4C/C4G 系列

KEMET C4C/C4G 系列聚丙烯薄膜器为自修复,具有高波纹电流和低损耗。 具有高触点可靠性,这些电容器特别适用于高频应用。

这些器特别适用于功率半导体电路,适用于在电子镇流器和电动机应用中抑制或减少不需要的电压峰值。 两种系列的合适应用包括阻隔、夹紧和耦合/去耦。

金属化聚丙烯缓冲电容器

引线长度 40mm


立创商城:
680nF ±5% 850V


欧时:
KEMET C4G 系列 680nF 聚丙烯电容器 PP C4GAMUC3680AA0J, ±5%, 850V dc, 通孔, 20.5mm直径


贸泽:
Film Capacitors 850volts 0.68uF 5%


e络盟:
AC膜电容器, 0.68 µF, 450 VAC, 金属化PP, ± 5%, C4G系列, 轴向


艾睿:
Cap Film 0.68uF 850V 5% 20.5 X 33mm Axial 0.0042 Ohm 85°C


Allied Electronics:
C 680nF Polypropylene Film Capacitor 850 V dc +/-5% 20.5mm


安富利:
Cap Film 0.68uF 850V 5% 20.5 X 33mm Axial 0.0042 Ohm 85°C


Chip1Stop:
Cap Film 0.68uF 850V 5% 20.5 X 33mm Axial 0.0042 Ohm 85C


TME:
Capacitor: polyester; 0.68uF; Leads: axial; ESR:4.2mΩ; THT; ±5%


C4GAMUC3680AA0J中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 850 V

额定电压AC 450 V

电容 0.68 µF

等效串联电阻ESR 4.2 mΩ

容差 ±5 %

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

额定电压 450 VAC

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 20.5Max X 33Max

外形尺寸

长度 33 mm

封装 20.5Max X 33Max

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 高频率,开关, DC Link,DC 滤波;高频,开关,吸收电路

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买C4GAMUC3680AA0J
型号: C4GAMUC3680AA0J
描述:C4C/C4G 系列 KEMET C4C/C4G 系列聚丙烯薄膜电容器为自修复,具有高波纹电流和低损耗。 具有高触点可靠性,这些电容器特别适用于高频应用。 这些薄膜电容器特别适用于功率半导体电路,适用于在电子镇流器和电动机应用中抑制或减少不需要的电压峰值。 两种系列的合适应用包括阻隔、夹紧和耦合/去耦。 金属化聚丙烯缓冲电容器 引线长度 40mm ### 轴向 85°C

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