2个P沟道 20V 660A
Mosfet Array 2 P-Channel Dual 20V 660mA Ta 150mW Surface Mount SOT-363
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2个P沟道 20V 660A
得捷:
MOSFET 2PCH 20V 660MA SOT363
贸泽:
MOSFET MOSFET DUAL P-CHANNEL
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.66A 6-Pin SOT-363 T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.66A 6-Pin SOT-363 T/R
Win Source:
MOSFET 2PCH 20V 660MA SOT363
通道数 2
漏源极电阻 520 mΩ
耗散功率 0.15 W
阈值电压 0.35 V
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
上升时间 5.8 ns
输入电容Ciss 170pF @16VVds
额定功率Max 150 mW
下降时间 20.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
封装 SOT-363-6
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99