CD40107BMTE4

CD40107BMTE4图片1
CD40107BMTE4中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.00V ~ 18.0V

输出电流 136 mA

传送延迟时间 200 ns

电压波节 5.00 V, 10.0 V, 15.0 V

逻辑门个数 2

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CD40107BMTE4
型号: CD40107BMTE4
制造商: TI 德州仪器
描述:NAND Gate 2Element 2IN CMOS 8Pin SOIC T/R
替代型号CD40107BMTE4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

CD40107BMTE4

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

CD40107BM96

德州仪器

完全替代

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