CD40107BM96G4

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CD40107BM96G4中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.00V ~ 18.0V

输出电流 136 mA

位数 2

传送延迟时间 200 ns

电压波节 5.00 V, 10.0 V, 15.0 V

逻辑门个数 2

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min 55 ℃

电源电压Max 18 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买CD40107BM96G4
型号: CD40107BM96G4
制造商: TI 德州仪器
描述:NAND Gate 2Element 2IN CMOS 8Pin SOIC T/R
替代型号CD40107BM96G4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

CD40107BM96G4

TI 德州仪器

当前型号

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CD40107BME4

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完全替代

CD40107BM96G4和CD40107BME4的区别

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