CE3512K2-C1

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CE3512K2-C1概述

Trans RF MOSFET N-CH 4V 0.068A 4Pin Micro-X T/R

RF Mosfet pHEMT FET 2V 10mA 12GHz 13.7dB 125mW 4-Micro-X


得捷:
RF FET 4V 12GHZ 4MICROX


立创商城:
CE3512K2-C1


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 4V 0.068A 4-Pin Micro-X T/R


Verical:
Trans RF FET N-CH 4V 0.068A 4-Pin Micro-X T/R


CE3512K2-C1中文资料参数规格
技术参数

频率 12 GHz

耗散功率 125000 mW

输出功率 125 mW

增益 13.7 dB

测试电流 10 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125000 mW

封装参数

引脚数 4

封装 Micro-X

外形尺寸

封装 Micro-X

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买CE3512K2-C1
型号: CE3512K2-C1
制造商: California Eastern Laboratories
描述:Trans RF MOSFET N-CH 4V 0.068A 4Pin Micro-X T/R
替代型号CE3512K2-C1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

CE3512K2-C1

California Eastern Laboratories

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CE3512K2

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CE3512K2-C1和CE3512K2的区别

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