CE3521M4-C2

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CE3521M4-C2概述

RF Mosfet 2 N-Channel Dual 2V 10mA 20GHz 11.9dB 0.125W1/8W 4-Super Mini Mold

RF Mosfet pHEMT FET 2V 10mA 20GHz 11.9dB 125mW 4-Super Mini Mold


得捷:
RF FET 4V 20GHZ SOT343


艾睿:
Trans RF MOSFET 4V 0.057A 4-Pin Case M04 T/R


Verical:
Trans RF MOSFET 4V 0.057A 4-Pin Case M04 T/R


CE3521M4-C2中文资料参数规格
技术参数

频率 20 GHz

耗散功率 125 mW

输出功率 125 mW

增益 11.9 dB

测试电流 10 mA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125 mW

额定电压 4 V

封装参数

引脚数 4

封装 SOT-343

外形尺寸

封装 SOT-343

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

CE3521M4-C2引脚图与封装图
CE3521M4-C2引脚图
CE3521M4-C2封装图
CE3521M4-C2封装焊盘图
在线购买CE3521M4-C2
型号: CE3521M4-C2
制造商: California Eastern Laboratories
描述:RF Mosfet 2 N-Channel Dual 2V 10mA 20GHz 11.9dB 0.125W1/8W 4-Super Mini Mold
替代型号CE3521M4-C2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

CE3521M4-C2

California Eastern Laboratories

当前型号

当前型号

CE3521M4

California Eastern Laboratories

完全替代

CE3521M4-C2和CE3521M4的区别

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