晶体管, MOSFET, P沟道, -5.4 A, -12 V, 0.029 ohm, -4.5 V, -650 mV
P-Channel 12V 5.4A Ta 500mW Ta Surface Mount 3-PICOSTAR
得捷:
MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR
立创商城:
CSD23285F5T
德州仪器TI:
-12-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.8 mm x 1.5 mm, 35 mOhm, gate ESD protection
贸泽:
MOSFET 12V P-Channel FemtoFET MOSFET 3-PICOSTAR -55 to 150
e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -5.4 A, -12 V, 0.029 ohm, -4.5 V, -650 mV
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 12V 5.4A 3-Pin PicoStar T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 12V 3.3A 3-Pin PICOSTAR T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 12V 5.4A 3-Pin PicoStar T/R
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS CSD23285F5T MOSFET, P-CH, -12V, -5.4A, PICOSTAR New
Win Source:
MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR / P-Channel 12 V 5.4A Ta 500mW Ta Surface Mount 3-PICOSTAR
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.029 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.4 W
阈值电压 950 mV
漏源极电压Vds 12 V
漏源击穿电压 12 V
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 628pF @6VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 500mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 PICOSTAR-3
长度 1.53 mm
宽度 0.77 mm
高度 0.35 mm
封装 PICOSTAR-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
CSD23285F5T TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD23285F5 德州仪器 | 类似代替 | CSD23285F5T和CSD23285F5的区别 |