CSD19538Q2T

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CSD19538Q2T概述

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 13.1 A, 0.049 ohm, WSON, 表面安装

表面贴装型 N 通道 13.1A(Tc) 2.5W(Ta),20.2W(Tc) 6-WSON(2x2)


得捷:
MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON


立创商城:
CSD19538Q2T


德州仪器TI:
100-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 59 mOhm


贸泽:
MOSFET 100V, 49mOhm NexFET Power MOSFET


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 13.1 A, 0.049 ohm, WSON, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14.4A; 20.2W; WSON6 2x2mm


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON / N-Channel 100 V 13.1A Tc 2.5W Ta, 20.2W Tc Surface Mount 6-WSON 2x2


CSD19538Q2T中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 6

漏源极电阻 0.049 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 23 W

阈值电压 3.2 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 14.4A

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 349pF @50VVds

下降时间 2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 WSON-FET-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 2 mm

高度 0.75 mm

封装 WSON-FET-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

CSD19538Q2T引脚图与封装图
CSD19538Q2T引脚图
CSD19538Q2T封装图
CSD19538Q2T封装焊盘图
在线购买CSD19538Q2T
型号: CSD19538Q2T
制造商: TI 德州仪器
描述:功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 13.1 A, 0.049 ohm, WSON, 表面安装

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