功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 13.1 A, 0.049 ohm, WSON, 表面安装
表面贴装型 N 通道 13.1A(Tc) 2.5W(Ta),20.2W(Tc) 6-WSON(2x2)
得捷:
MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
立创商城:
CSD19538Q2T
德州仪器TI:
100-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 59 mOhm
贸泽:
MOSFET 100V, 49mOhm NexFET Power MOSFET
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 13.1 A, 0.049 ohm, WSON, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14.4A; 20.2W; WSON6 2x2mm
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON / N-Channel 100 V 13.1A Tc 2.5W Ta, 20.2W Tc Surface Mount 6-WSON 2x2
通道数 1
针脚数 6
漏源极电阻 0.049 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 23 W
阈值电压 3.2 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 14.4A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 349pF @50VVds
下降时间 2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 WSON-FET-6
长度 2 mm
宽度 2 mm
高度 0.75 mm
封装 WSON-FET-6
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99