CDM2206-800LR

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CDM2206-800LR中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 110 W

上升时间 22.7 ns

下降时间 25.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CDM2206-800LR
型号: CDM2206-800LR
制造商: Central Semiconductor
描述:CDM2206 系列 800 v 950 mOhm N-沟道 LR 功率 Mosfet - TO-220-3

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