CGH60008D

CGH60008D图片1
CGH60008D中文资料参数规格
技术参数

频率 6 GHz

漏源极电阻 1.6 Ω

阈值电压 3 V

漏源击穿电压 120 V

输出功率 8 W

增益 15 dB

测试电流 100 mA

额定电压 84 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 Bare Die

外形尺寸

封装 Bare Die

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CGH60008D
型号: CGH60008D
制造商: CREE 美国科锐
描述:RF JFET Transistors DC-6GHz 8W GaN Gain@ 4GHz 15dB

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