MOSFET，C3M 系列，Cree Inc.新 C3M 碳化硅 SiC MOSFET 技术 在整个工作温度范围内，漏-源击穿电压最小为 1000 V 新低阻抗封装，带驱动器源 漏极与源极之间 8 mm 漏电/间隙 高速切换，具有低输出电容 高阻塞电压，带低漏-源通态电阻 可耐受雪崩 快速固有二极管，带低反向恢复 ### MOSFET 晶体管，Cree Inc.
碳化硅功率 MOSFET，C3M 系列，Cree Inc.
新 C3M 碳化硅 SiC MOSFET 技术
在整个工作温度范围内，漏-源击穿电压最小为 1000 V
新低阻抗封装，带驱动器源
漏极与源极之间 8 mm 漏电/间隙
高速切换，具有低输出电容
高阻塞电压，带低漏-源通态电阻
可耐受雪崩
快速固有二极管，带低反向恢复
欧时:
Wolfspeed C3M 系列 SiC N沟道 MOSFET C3M0065100K, 35 A, Vds=1000 V, 4引脚 TO-247封装
得捷:
SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4L
艾睿:
Trans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin4+Tab TO-247
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 35A; 113.5W; TO247-4; C3M™, SiC
Newark:
# WOLFSPEED C3M0065100K MOSFET, N-CH, 1KV, 35A, TO-247 New
通道数 1
针脚数 4
漏源极电阻 0.065 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 113.5 W
阈值电压 2.1 V
漏源极电压Vds 1 kV
漏源击穿电压 1000 V
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 660pF @600VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 113.5 W
安装方式 Through Hole
引脚数 4
封装 TO-247-4
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 23.6 mm
封装 TO-247-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2016/06/20
