CRCW251232R4FKEG参数规格_中文资料_数据手册PDF

CRCW251232R4FKEG概述

Res Thick Film 2512 32.4Ω 1% 1W ±100ppm/℃ Molded SMD SMD Blister T/R

±1% 1W 芯片 2512（6432 公制）汽车级AEC-Q200 厚膜

得捷:
RES SMD 32.4 OHM 1% 1W 2512

CRCW251232R4FKEG中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 500 V

额定功率 1.00 W

电阻 32.4 Ω

阻值偏差 ±1 %

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2512

封装 2512

外形尺寸

长度 6.30 mm

宽度 3.15 mm

高度 600 µm

封装公制 2512

封装 2512

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CRCW251232R4FKEG

型号： CRCW251232R4FKEG

制造商： Vishay Dale 威世达勒

描述：Res Thick Film 2512 32.4Ω 1% 1W ±100ppm/℃ Molded SMD SMD Blister T/R