CTLDM7002A-M621 TR

CTLDM7002A-M621 TR概述

CTLDM7002A 系列 60 V 5 Ohm N 沟道 增强模式 硅 Mosfet

N-Channel 60 V 280mA Ta 900mW Ta Surface Mount TLM621


得捷:
MOSFET N-CH 60V 280MA TLM621


富昌:
CTLDM7002A 系列 60 V 5 Ohm N 沟道 增强模式 硅 Mosfet


CTLDM7002A-M621 TR中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 50pF @25VVds

耗散功率Max 900mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TLM-621

外形尺寸

封装 TLM-621

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CTLDM7002A-M621 TR
型号: CTLDM7002A-M621 TR
制造商: Central Semiconductor
描述:CTLDM7002A 系列 60 V 5 Ohm N 沟道 增强模式 硅 Mosfet

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台