20V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.6x0.7、1460mΩ 3-PICOSTAR -55 to 150
这种 20V、990mΩ、N 沟道 FemtoFETMOSFET 经过了设计和优化,能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的 封装尺寸。超低电容提高了开关速度。在数据线路 应用中,较低的电容可最大限度减少噪声耦合。这项技术能够在替代标准小信号金属氧化物半导体场效应 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
## 应用范围
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极性 N-CH
耗散功率 500 mW
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 0.5A
上升时间 1 ns
输入电容Ciss 8.1pF @10VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 PICOSTAR-3
长度 0.73 mm
宽度 0.64 mm
高度 0.35 mm
封装 PICOSTAR-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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