CBCP69参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

CBCP69图片1

CBCP69中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 2 W

增益频宽积 65 MHz

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 60

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-223-4

外形尺寸

封装 SOT-223-4

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CBCP69

型号： CBCP69

制造商： Central Semiconductor

描述：SOT-223 PNP 20V 1A

替代型号CBCP69

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
CBCP69 Central Semiconductor	当前型号	当前型号
CBCP69TR Central Semiconductor	功能相似	CBCP69和CBCP69TR的区别
CBCP69BK Central Semiconductor	功能相似	CBCP69和CBCP69BK的区别
CBCP69BKLEADFREE Central Semiconductor	功能相似	CBCP69和CBCP69BKLEADFREE的区别