晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0029 ohm, 10 V, 1.3 V
N-Channel 30V 24A Ta, 123A Tc 3.1W Ta, 83W Tc Surface Mount 8-VSONP 5x6
得捷:
MOSFET N-CH 30V 24A/123A 8VSON
立创商城:
CSD17581Q5AT
德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 4.2 mOhm
贸泽:
MOSFET 30V, N-Ch NexFET Power MOSFET
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0029 ohm, 10 V, 1.3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 83W; VSONP8 5x6mm
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS CSD17581Q5AT MOSFET, N-CH, 30V, 60A, VSON-8 New
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 24A/123A 8VSON / N-Channel 30 V 24A Ta, 123A Tc 3.1W Ta, 83W Tc Surface Mount 8-VSONP 5x6
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0029 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 83 W
阈值电压 1.3 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 60A
上升时间 21 ns
输入电容Ciss 3640pF @15VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta, 83W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSONP-8
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
高度 1 mm
封装 VSONP-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2016/06/20
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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