30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.8x1.5、33mΩ 3-PICOSTAR -55 to 150
表面贴装型 N 通道 5.9A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
得捷:
MOSFET N-CH 30V 5.9A 3PICOSTAR
立创商城:
CSD17585F5T
德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.8 mm x 1.5 mm, 33 mOhm, gate ESD protection
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 5.9A 3-Pin PicoStar T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 5.9A 3-Pin PicoStar T/R
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS CSD17585F5T MOSFET, N-CH, 30V, 5.9A, PICOSTAR New
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 5.9A 3PICOSTAR / N-Channel 30 V 5.9A Ta 500mW Ta Surface Mount 3-PICOSTAR
漏源极电阻 0.022 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.4 W
阈值电压 1.3 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 5.9A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 380pF @15VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 PICOSTAR-3
封装 PICOSTAR-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2016/06/20
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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