CSD18535KTT参数规格_中文资料_数据手册PDF

CSD18535KTT概述

60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、2mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175

这款 60V、1.6mΩ、D2PAK TO-263 NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。

.: 超低 Qg和 Qgd

.: 低热阻

.: 雪崩级

.: 无铅引脚镀层

.: 符合 RoHS 环保标准

.: 无卤素

.: D2PAK 塑料封装

## 应用

.: 次级侧同步整流器

.: 电机控制

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CSD18535KTT中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 2.3 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 300 W

阈值电压 1.9 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 200A

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 6620pF @30VVds

下降时间 3 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 9.25 mm

高度 4.7 mm

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买CSD18535KTT

型号： CSD18535KTT

制造商： TI 德州仪器

描述：60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、2mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175

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