12V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.6x0.7、76mΩ 3-PICOSTAR -55 to 150
N-Channel 12V 3.6A Ta 500mW Ta Surface Mount 3-PICOSTAR
得捷:
MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR
立创商城:
CSD13380F3T
德州仪器TI:
12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 76 mOhm, gate ESD protection
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
漏源极电阻 0.063 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.4 W
阈值电压 850 mV
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 3.6A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 156pF @6VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 PICOSTAR-3
封装 PICOSTAR-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2016/06/20
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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