CSD19506KTTT概述
80V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、2.3mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175
N-Channel 80V 200A Ta 375W Tc Surface Mount DDPAK/TO-263-3
得捷:
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK
立创商城:
CSD19506KTTT
德州仪器TI:
80-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single D2PAK, 2.3 mOhm
贸泽:
MOSFET 80 V, N-Channel NexFET Power MOSFET 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 200A 4-Pin3+Tab TO-263 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 80V 200A 4-Pin3+Tab TO-263 T/R
CSD19506KTTT中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 2.3 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 375 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80 V
连续漏极电流Ids 200A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 12200pF @40VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 375W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 9.25 mm
高度 4.7 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
CSD19506KTTT引脚图与封装图 
