CSD18542KTT

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CSD18542KTT概述

60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、4mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175

这款 60V、3.3mΩ、D2PAK TO-263 NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 最大 RθJC = 0.6°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

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超低 Qg 和 Qgd
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低热阻
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雪崩额定值
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逻辑电平
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无铅引脚镀层
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符合 RoHS 标准
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无卤素
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D2PAK 塑料封装

## 应用范围

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直流 - 直流转换
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次级侧同步整流器
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电机控制

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CSD18542KTT中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 4.0 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 250 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 200A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 5070pF @30VVds

下降时间 21 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 9.25 mm

高度 4.7 mm

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买CSD18542KTT
型号: CSD18542KTT
制造商: TI 德州仪器
描述:60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、4mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175
替代型号CSD18542KTT
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