CSD16401Q5T

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CSD16401Q5T概述

25V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、2.3mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150

N-Channel 25V 100A Ta 3.1W Ta Surface Mount 8-VSON-CLIP 5x6


得捷:
N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET


立创商城:
CSD16401Q5T


德州仪器TI:
25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.3 mOhm


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


安富利:
N-Channel NexFET Power MOSFET 25V 100A 8-Pin VSON-CLIPVSON-CLIP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


CSD16401Q5T中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3.1 W

漏源极电压Vds 25 V

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 3150pF @12.5VVds

下降时间 12.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 8-VSON-CLIP

外形尺寸

封装 8-VSON-CLIP

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

CSD16401Q5T引脚图与封装图
CSD16401Q5T引脚图
CSD16401Q5T封装图
CSD16401Q5T封装焊盘图
在线购买CSD16401Q5T
型号: CSD16401Q5T
制造商: TI 德州仪器
描述:25V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、2.3mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150

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