CSD18502Q5BT

CSD18502Q5BT图片1
CSD18502Q5BT图片2
CSD18502Q5BT概述

40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、2.3mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150

表面贴装型 N 通道 100A(Ta) 3.2W(Ta),156W(Tc) 8-VSON-CLIP(5x6)


得捷:
N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET


立创商城:
CSD18502Q5BT


德州仪器TI:
40-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.3 mOhm


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 26A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 156W; VSON-CLIP8 5x6mm


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 26A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


CSD18502Q5BT中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3.2 W

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 26A

上升时间 6.8 ns

输入电容Ciss 3900pF @20VVds

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-CLIP

外形尺寸

封装 VSON-CLIP

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

CSD18502Q5BT引脚图与封装图
CSD18502Q5BT引脚图
CSD18502Q5BT封装图
CSD18502Q5BT封装焊盘图
在线购买CSD18502Q5BT
型号: CSD18502Q5BT
制造商: TI 德州仪器
描述:40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、2.3mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150
替代型号CSD18502Q5BT
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

CSD18502Q5BT

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

CSD18502Q5B

德州仪器

功能相似

CSD18502Q5BT和CSD18502Q5B的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台