CSD23285F5 12V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET
这款 29mΩ、–12V P 沟道 FemtoFETMOSFET 技术经过了设计和优化,能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的 封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
## 应用范围
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极性 P-CH
耗散功率 1.4 W
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 5.4A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 483pF @6VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1400 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 PICOSTAR-3
封装 PICOSTAR-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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