CSD17581Q3AT

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CSD17581Q3AT概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0032 ohm, 10 V, 1.3 V

表面贴装型 N 通道 60A(Tc) 2.8W(Ta),63W(Tc) 8-VSONP(3x3.15)


得捷:
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON


立创商城:
CSD17581Q3AT


德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 4.7 mOhm


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 60 A, 0.0032 ohm, VSON, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R


安富利:
30V N CH MOSFET


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 63W; VSONP8 3,3x3,3mm


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R


CSD17581Q3AT中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0032 Ω

极性 N-CH

耗散功率 2.8 W

阈值电压 1.3 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 60A

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 3640pF @15VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.8W Ta, 63W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSONP-8

外形尺寸

封装 VSONP-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

CSD17581Q3AT引脚图与封装图
CSD17581Q3AT引脚图
CSD17581Q3AT封装图
CSD17581Q3AT封装焊盘图
在线购买CSD17581Q3AT
型号: CSD17581Q3AT
制造商: TI 德州仪器
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0032 ohm, 10 V, 1.3 V
替代型号CSD17581Q3AT
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