晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0032 ohm, 10 V, 1.3 V
表面贴装型 N 通道 60A(Tc) 2.8W(Ta),63W(Tc) 8-VSONP(3x3.15)
得捷:
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
立创商城:
CSD17581Q3AT
德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 4.7 mOhm
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 60 A, 0.0032 ohm, VSON, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R
安富利:
30V N CH MOSFET
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 63W; VSONP8 3,3x3,3mm
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R
针脚数 8
漏源极电阻 0.0032 Ω
极性 N-CH
耗散功率 2.8 W
阈值电压 1.3 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 60A
上升时间 23 ns
输入电容Ciss 3640pF @15VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.8W Ta, 63W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSONP-8
封装 VSONP-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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