40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、1.7mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175
N-Channel 40V 274A Tc 250W Ta Surface Mount DDPAK/TO-263-3
得捷:
MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK
立创商城:
CSD18510KTTT
德州仪器TI:
40-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single D2PAK, 1.7 mOhm
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 4-Pin3+Tab TO-263 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; 250W; D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 4-Pin3+Tab TO-263 T/R
漏源极电阻 0.0014 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 250 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 40 V
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 11400pF @15VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 188W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2016/06/20
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
CSD18510KTTT TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD18510KTT 德州仪器 | 功能相似 | CSD18510KTTT和CSD18510KTT的区别 |