CSD18513Q5AT

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CSD18513Q5AT概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 124 A, 40 V, 0.0028 ohm, 10 V, 1.8 V

N-Channel 40V 124A Tc 96W Tc Surface Mount 8-VSONP 5x6


得捷:
MOSFET N-CH 40V 124A 8VSON


立创商城:
CSD18513Q5AT


德州仪器TI:
40-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 3.4 mOhm


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 124 A, 40 V, 0.0028 ohm, 10 V, 1.8 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; VSONP8 5x6mm


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R


CSD18513Q5AT中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0028 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 96 W

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 4280pF @20VVds

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 96W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSONP-8

外形尺寸

封装 VSONP-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

CSD18513Q5AT引脚图与封装图
CSD18513Q5AT引脚图
CSD18513Q5AT封装图
CSD18513Q5AT封装焊盘图
在线购买CSD18513Q5AT
型号: CSD18513Q5AT
制造商: TI 德州仪器
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 124 A, 40 V, 0.0028 ohm, 10 V, 1.8 V
替代型号CSD18513Q5AT
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