CZT3019 NPN三极管 120V 1A 100MHz 100~300 500mV/0.5V SOT-223 marking/标记 CZT3019 高电流通用放大器
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 120V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 80V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 2W Description & Applications| NPN SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR type is an NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high current general purpose amplifier applications. 描述与应用| NPN硅晶体管 中央半导体CZT3019类型是NPN硅晶体管由外延平面工艺,环氧树脂模压在一个表面贴装封装,为高电流的通用放大器应用设计制造。
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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CZT3019 Central Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
CZT3019TR Central Semiconductor | 类似代替 | CZT3019和CZT3019TR的区别 |
BSP43 美台 | 功能相似 | CZT3019和BSP43的区别 |
CZT3019BK Central Semiconductor | 功能相似 | CZT3019和CZT3019BK的区别 |